Розробка підсилювача

В даній схемі вивід робочої точки на середину лінійної характеристики транзистора здійснюється за допогою джерела . Визначимо ЕРС цього джерела. За схемою Тевеліна [6, 106]. Для перевірки: . [6, 107].

Отже, виконується перша вимога для нормальної роботи транзистора.

Реактивні елементи RC-каскаду (розділова ємність і блокуюча емітерна ємність) великі і викликають зниження підсилення на нижніх частотах, тобто завал АЧХ в області нижніх частот.

Розділова ємність погіршує передачу низькочастотного сигналу з колектора транзистора у навантаження .

Ємність , шунтуючи , усуває ВЗЗ, послідовний по струму в межах робочого діапазону частот, але зі зменшенням частоти її шунтуючий вплив зменшується, і ВЗЗ, який при цьому виникає, знижує підсилення, тобто появляється додатковий завал АЧХ в області нижніх частот.

Виберемо наступні ємності: [2, cт.115] Звідси визначимо ; ; .

Розрахуємо коефіцієнт підсилення каскаду:

- коефіцієнт підсилення.

Весь графік залежності від можна розбити на III частини: в області НЧ істотний вплив має , в області СЧ не змінюється (не залежить від ); в області ВЧ сильно впливає паразитна ємність . Отже, можна записати 3 формули для відображення АЧХ. Область НЧ є [0; 20] Гц, область ВЧ є 20 кГц і більше.

Згідно еквівалентних схем RC-каскаду для СЧ: ; RC-каскаду для ВЧ: ;

Ачх в області НЧ: ;